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芯片性能可提高37%

发布日期:2011-05-05  来源:互联网  作者:用户供稿放大字体  缩小字体

内容简介: 北京时间5月5日消息,据国外媒体报道,英特尔周三推出了采用“3D”制造工艺生产的处理器,采用这一技术生产的芯片性能可提高37%,但耗电...

 

北京时间5月5日消息,据国外媒体报道,英特尔周三推出了采用“3D”制造工艺生产的处理器,采用这一技术生产的芯片性能可提高37%,但耗电量更少。

新的被称为艾维布里奇(IvyBridge)的处理器,将于今年年底前投产。总部位于加利福尼亚州圣克拉拉的英特尔称,经过近10年的开发,已实现了生产22纳米电子电路的目标,新芯片是第一个依靠3D三门晶体管生产的产品。

英特尔高级研究员马克·玻尔(MarkBohr)表示:“这一技术突破使英特尔在芯片行业的领先优势进一步扩大。电压和功耗上的突破,远超我们从上一代到下一代处理器的差距”。

虽然新技术主要是针对PC而设计,但也可以帮助英特尔打入手机和其他电池供电设备。虽然每10台PC就有8台安装了英特尔处理器,但还没有一部手机采用其芯片。新芯片与现有型号相比,能耗降低了一半,但处理速度相同,从而延长了电池续航时间。

芯片上的晶体管越多,就能处理越多的信息。晶体管组合更紧密,可使处理器性能更强大、更便宜或更省电。

纵向思考

现在为止,横向收缩晶体管电路的线宽,一直是增加晶体管密度的途径。英特尔表示,3D方式增加了垂直元素,可在芯片上增加更多的晶体管,提高反应能力。新芯片采用的是22纳米技术,而上一代芯片为32纳米。

这项新技术将使英特尔领先对手整整一代。本季度其主要竞争对手AMD公司刚推出第一款32纳米处理器。

截止中午12时16分,在纳斯达克股票市场,英特尔股价上涨18美分至23.23美元/股。今年以来该股已上涨10%。

 

 
 
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